进入七月份以后，随着气温的逐渐升高，王耀城更加忙碌了。
三度飞赴本子国，进行重要的商务谈判。
经过艰苦的反复拉锯，大西洋公司与日资富士通公司谈判达成，八英寸晶圆厂生产专利池一揽子永久授权解决方案，双方终于签署正式协议。
大西洋公司以1.78亿美金的高昂代价，取得了DRAM半导体生产专利池一揽子永久授权，从此打开了通向世界市场的通道。
这份合同意义重大，意味着大西洋公司生产的DRAM半导体，不再会受到生产专利的困扰，可以畅通地进入全世界市场销售。
这一协定的签署，彻底打通了最后专利墙阻碍，为大西洋公司飞速发展奠定基础。
还别嫌价格贵，除了日资大厂富士通公司，其他竞争对手为了排挤新玩家进入这个市场，绝不会卖出专利授权，这玩意别的地儿还真没处买，独此一家。
日资富士通公司是本子国“DRAM制法革新“国家项目参与厂商，依照日资厂商生产专利互相授权协议，亨有DRAM半导体从IC设计，生产，封装，测试全过程专利池使用授权。
这个专利池使用授权来自于历史上的一次集体科技攻关，既然富士通公司退出了DRAM半导体生产领域，加之与棒子国三星半导体公司，现代半导体公司宿怨极深。
为了恶心对手，也为了出一口心中的恶气，在无形的压力和高价诱惑之下富士通公司终于松口，将手里掌握的生产专利池使用授权永久转让。
历史上
1976年3月，经通产省、自民党、大藏省多次协商，本子政府启动了“DRAM制法革新“国家项目。
由本子政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元，总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI 技术研究所”。
攻关项目由日立公司领头组织 800 多名技术精英，共同研制国产高性能 DRAM 制程设备，目标是突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期实现1M DRAM的实用化。
在这一技术攻关体系中，日立（第一研究室），负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置。
富士通（第二研究室）研制可变尺寸矩形电子束扫描装置。
东芝（第三研究室）负责 EB 扫描装置与制版复印装置。
电气综合研究所（第四研究室）对硅晶体材料进行研究。
三菱电机（第五研究室）开发制程技术与投影曝光装置。
NEC（第六研究室）进行产品封装设计、测试、评估研究。
1980年，本子国VLSI联合研发体，宣告完成为期四年的VLSI攻关项目。
期间申请的实用新型专利和商业专利，达到1210件和347件。
研发的主要成果包括各型电子束曝光装置，采用紫外线、X 射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等，取得了引人注目的成果。
针对难度大的高风险研究课题，VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式，调动各单位进行良性竞争，保证研发成功率。
各企业的技术整合，保证了DRAM 量产成功率，奠定了日资半导体厂商在 DRAM 市场的霸主地位。
日资半导体厂商互相授权，共同拥有DRAM 生产专利，这是世界上技术水平最高的生产系列专利池，延伸到生产链的全过程，可以保证可靠的良品率。
消息传出，此次生产技术专利永久转让，引起了韩棒子三星及现代公司的高度恐慌
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